Радиотехническое
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ940А предназначены для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ939Б в металлическом корпусе предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ939А в металлическом корпусе предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916А в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ872А предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Х предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837Ф предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837К предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТ837И предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »